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飙升(B)Ag/MAPbCl3NWs/AlRe-RAM器件的切换持久性能。德国(D)MAPbCl3单晶纳米线向HRTEM放大图显示单晶取向。

【图文简介】图1基于MAPbCl3纳米线的设备结构分析及工作机理(A)以Ag为活性电极，气企Al为对电极的聚丙烯酰胺模板中MAPbCl3NWs的器件示意图。业持(B)聚丙烯酰胺中MAPbCl3NWs的横断面扫描电镜图像。续亏(C)Ag/MAPbCl3/AlRe-RAM器件在85°C/80%RH环境下的可靠性测试。

该器件显示了超长的保留时间，价格使钙钛矿基的Re-RAM在数据的时间存储方面与传统的非易失性存储器不相上下。飙升(E)在105°C下测量MAPbI3,MAPbBr3和MAPbCl3NW-basedRe-RAM设备的保持性能。

基于薄膜的开关介质还存在潜在的水平路径(易造成漏电)，德国因此在单个芯片中有效集成多个Re-RAM单元仍然存在极大困难。

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